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高灵敏度TMR磁性传感器 

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申请/专利权人:西部数据技术公司

摘要:公开了一种包括一个或多个TMR电阻器的隧道磁阻TMR传感器设备。该TMR传感器设备包括:第一TMR电阻器,该第一TMR电阻器包括第一TMR膜;第二TMR电阻器,该第二TMR电阻器包括不同于该第一TMR膜的第二TMR膜;第三TMR电阻器,该第三TMR电阻器包括该第二TMR膜;以及第四TMR电阻器,该第四TMR电阻器包括该第一TMR膜。该第一TMR电阻器和该第四TMR电阻器设置在第一平面中,而该第二TMR电阻器和该第三TMR电阻器设置在不同于该第一平面的第二平面中。该第一TMR膜包括合成反铁磁钉扎层,该合成反铁磁钉扎层的基准层的磁化方向正交于自由层的磁化方向。该第二TMR膜包括双合成反铁磁钉扎层,该双合成反铁磁钉扎层的基准层的磁化方向正交于自由层的磁化方向。

主权项:1.一种隧穿磁阻TMR传感器设备,所述TMR传感器设备包括:第一TMR电阻器,所述第一TMR电阻器包括第一TMR膜,所述第一TMR膜包括合成反铁磁钉扎层,所述合成反铁磁钉扎层的第一基准层的磁化方向正交于第一自由层的磁化方向;第二TMR电阻器,所述第二TMR电阻器包括第二TMR膜,所述第二TMR膜包括双合成反铁磁钉扎层,所述双合成反铁磁钉扎层的第二基准层的磁化方向正交于第二自由层的磁化方向并且与所述第一TMR膜的所述第一基准层的所述磁化方向相反;第三TMR电阻器,所述第三TMR电阻器包括所述第二TMR膜;和第四TMR电阻器,所述第四TMR电阻器包括所述第一TMR膜,其中所述第一TMR电阻器和所述第四TMR电阻器相对于第一中间引线设置在第一横截面中,并且所述第二TMR电阻器和所述第三TMR电阻器相对于第二中间引线设置在不同于所述第一横截面的第二横截面中。

全文数据:

权利要求:

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