申请/专利权人：深圳青铜剑技术有限公司

申请日：2021-07-06

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN113572464B

主分类号：H03K17/567

分类号：H03K17/567

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.11.16#实质审查的生效;2021.10.29#公开

摘要：本发明公开了一种门极电流可控的IGBT驱动电路，所述电路通过第一采样模块将IGBT开通时的门极电流转换输出为对应的第一电压信号，通过第一放大模块提供不同的放大比例系数，以对所述第一电压信号进行放大并输出第一控制信号，所述第一控制信号用于控制所述开通MOSFET管的导通状态；又通过第二采样模块将IGBT关断时的门极电流转换输出为对应的第二电压信号，通过第二放大模块提供不同的放大比例系数，以对所述第二电压信号进行放大并输出第二控制信号，所述第二控制信号用于控制所述关断MOSFET管的导通状态。如此，IGBT开通或关断时的门极电流将被精确地控制在所需要的范围内。本发明的电路结构简单，能节约PCB板占用面积，降低开发成本。

主权项：1.一种门极电流可控的IGBT驱动电路，所述电路包括控制信号端、开通MOSFET管Q1、关断MOSFET管Q2，所述开通MOSFET管Q1的漏极与所述关断MOSFET管Q2的漏极电连接，并均与IGBT的门极电连接，所述开通MOSFET管Q1的源极电连接正压端，所述关断MOSFET管Q2的源极电连接负压端，其特征在于，所述门极电流可控的IGBT驱动电路还包括：开关切换模块，所述开关切换模块的输入端与所述控制信号端电连接，所述开关切换模块的输出端电连接于所述开通MOSFET管Q1的栅极及所述关断MOSFET管Q2的栅极，所述开关切换模块用于根据所述PWM信号控制所述开通MOSFET管Q1及所述关断MOSFET管Q2的导通和关断；所述开通MOSFET管Q1和所述关断MOSFET管Q2中的一个处于导通状态时，另一个处于关断状态；第一采样模块，所述第一采样模块的输入端电连接于所述开通MOSFET管Q1的源极，用于在所述开通MOSFET管Q1导通时对流经所述开通MOSFET管Q1的电流进行采样，并根据采样结果输出对应的第一电压信号；第一放大模块，所述第一放大模块的第一输入端与所述第一采样模块的输出端电连接，所述第一放大模块的第二输入端电与所述控制信号端电连接，所述第一放大模块的输出端电连接于所述开通MOSFET管Q1的栅极，所述第一放大模块用于根据所述PWM信号调整放大比例系数，并对所述第一采样模块输出的第一电压信号进行放大，以输出对应的第一控制信号，所述第一控制信号用于控制所述开通MOSFET管Q1的导通状态，以控制IGBT的开通时的门极电流；第二采样模块，所述第二采样模块的输入端电连接于所述关断MOSFET管的源极，用于在所述关断MOSFET管Q2导通时对流经所述关断MOSFET管Q2的电流进行采样，并根据采样结果输出对应的第二电压信号；第二放大模块，所述第二放大模块的第一输入端所述第二采样模块的输出端电连接，所述第二放大模块的第二输入端电与所述控制信号端电连接，所述第二放大模块的输出端电连接于所述关断MOSFET管Q2的栅极，所述第二放大模块用于根据所述PWM信号调整放大比例系数，并对所述第二采样模块输出的第二电压信号进行放大，以输出对应的第二控制信号，所述第二控制信号用于控制所述关断MOSFET管Q2的导通状态，以控制IGBT的关断时的门极电流。

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