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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日：2024-04-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299261A
主分类号：H01L21/329
分类号：H01L21/329;H01L29/861;H01L29/40;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请提供一种快恢复二极管及其制备方法，在制备方法中，通过先在衬底背面形成第二衬垫氧化层，然后在衬底正面形成用于定义场氧化层的生长位置的沟槽，接着在采用高温炉管氧化工艺制备场氧化层的同时在衬底背面制备背封氧化层，变相地降低了制造成本，实现了在不额外增加工艺步骤的同时，可以利用第二衬垫氧化层和背封氧化层来阻挡后续接触孔热扩散工艺过程中铂等重金属离子从衬底背面外扩至机台腔室中的情况，从而避免了制备FRD器件以及其他半导体器件过程中因金属杂质污染造成产线污染的情况，提高了该机台用于多产品混合生产的可靠性，提高了FRD器件以及其他半导体器件的良率，达到了降本增效的目的。
主权项：1.一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成第一衬垫氧化层和第二衬垫氧化层，所述第一衬垫氧化层覆盖所述衬底的正面，所述第二衬垫氧化层覆盖所述衬底的背面；形成第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层覆盖所述第一衬垫氧化层，所述第二阻挡层覆盖所述第二衬垫氧化层；形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述第一阻挡层；以所述硬掩膜层为掩膜，去除所述第二阻挡层；去除所述硬掩膜层；刻蚀所述第一阻挡层和部分厚度的所述第一衬垫氧化层，以形成用于定义场氧化层的生长位置的沟槽；采用高温炉管氧化工艺在所述沟槽中、沟槽底部的剩余厚度的第一衬垫氧化层中以及部分厚度的衬底中形成所述场氧化层，同时，在所述衬底背面的所述第二衬垫氧化层表面形成背封氧化层；以及去除所述第一阻挡层和所述第一衬垫氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 上海华虹宏力半导体制造有限公司 快恢复二极管及其制备方法
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