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申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
摘要：在存储器设备中的编程操作的编程恢复阶段期间抑制编程干扰。当编程干扰的风险由于诸如温度、选定字线的位置、编程‑擦除循环的数量和编程脉冲量值的因素而更大时，可增大恢复阶段的持续时间。在其他方法中，通过相对于源极侧字线的电压的斜降提供漏极侧字线的电压的早期斜降、相对于选择栅极电压的斜降提供被抑制NAND串的位线电压的早期斜降、或者相对于漏极侧字线的恢复电压为源极侧字线设置较低的恢复电压，来降低编程干扰的风险。
主权项：1.一种装置，所述装置包括：布置在块BLK0-BLK3中的NAND串700n、710n、720n、730n中的一组存储器单元703-714、723-734、743-754、763-774，每个NAND串包括在源极端613处的选择栅极晶体管701、721、741、761和在漏极端615处的选择栅极晶体管716、736、756、776；连接到所述NAND串的所述源极端的源极线611a；多条字线，所述多条字线连接到所述一组存储器单元并且包括选定字线、所述选定字线的漏极侧字线和所述选定字线的源极侧字线；和连接到所述源极线和所述多条字线的控制电路110，所述控制电路被配置为在编程操作的编程循环中：执行编程阶段，其中所述选定字线的电压被设置为编程电压Vpgm,1303，所述漏极侧字线的电压被设置为相应通过电压1311，所述源极侧字线的电压被设置为相应通过电压1321，并且所述源极线的电压被设置为相应正电压1370；并且在所述编程阶段之后，执行恢复阶段1392，其中所述选定字线的所述电压从所述编程电压降低，之后所述漏极侧字线的所述电压从所述相应通过电压降低到相应恢复电压1314，之后所述源极侧字线的所述电压从所述相应通过电压降低到相应恢复电压1322,1323，之后所述源极线的所述电压从所述相应正电压降低到相应恢复电压1371，其中在将所述相应正电压施加到所述源极线并且向所述NAND串的源极端处的所述选择栅极晶体管施加比施加到所述源极线的相应正电压更小的电压时，所述漏极侧字线的电压降低并且所述源极侧字线的电压降低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 在存储器设备中的编程恢复期间抑制编程干扰
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