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申请/专利权人：苏州秋水半导体科技有限公司
申请日：2024-02-27
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299389A
主分类号：H01L27/146
分类号：H01L27/146
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请公开了阵列式光探测器，阵列式光探测器包括外延层、第一电极层和第二电极层。外延层包括第一半导体层、光电转换层以及第二半导体层；第一电极层设置于第一半导体层的一侧；第二电极层设置于第二半导体层的另一侧，且包括多个像素电极；光电转换层设置成产生载流子，载流子流向像素电极，光电转换层和第二半导体层的厚度和电阻率设置成使得：光电转换层和第二半导体层的总横向电流扩散长度满足Ls为总横向电流扩散长度，D1为相邻设置的像素电极的边缘之间的最短间距。通过上述方法，本申请能够减少漏电流和暗电流，提升阵列式光探测器的灵敏度以及准确度，使得像素电极之间实现电性绝缘而不易产生相互电性串扰。
主权项：1.一种阵列式光探测器，其特征在于，所述阵列式光探测器包括：外延层，包括依次层叠设置的第一半导体层、光电转换层以及第二半导体层；第一电极层，设置于所述第一半导体层背离所述光电转换层的一侧；第二电极层，设置于所述第二半导体层背离所述光电转换层的一侧，且包括以阵列方式排布的多个像素电极；其中，所述光电转换层设置成在外部输入的待探测光的作用产生载流子，所述载流子在所述第一电极层和所述第二电极层之间的电场作用下流向所述像素电极，其中，所述光电转换层和所述第二半导体层的厚度和电阻率设置成使得：在所述阵列式光探测器正常工作时，所述光电转换层和所述第二半导体层的总横向电流扩散长度满足其中Ls为所述总横向电流扩散长度，D1为相邻设置的所述像素电极的边缘之间的最短间距。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州秋水半导体科技有限公司 阵列式光探测器
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