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异质结结构量子点、量子点光转换层及其制备方法和应用 

申请/专利权人:镭昱光电科技(苏州)有限公司

申请日:2023-01-03

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118291118A

主分类号:C09K11/02

分类号:C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L33/50;H01L25/16;G03F7/004

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开了一种异质结结构量子点、量子点光转换层及其制备方法和应用。所述异质结结构量子点的制备方法包括:在发光类型的第一量子点表面形成不发光类型的金属纳米粒子,并使其与第一量子点配合形成异质结结构,制得异质结结构量子点,所述金属纳米粒子在被氧化后能够形成致密的、具有阻隔作用的金属氧化物层。本发明提供的异质结结构量子点由于金属纳米粒子的存在能够在量子点表面被氧化形成致密的金属氧化物层,可提升量子点的抗漂白性能;同时,异质结铝、铁、镍等物质可以与光刻胶中的氧气、水或OH‑离子结合形成金属氧化物层,致密包覆住量子点,或者部分脱落形成具有将光线进行散射作用的金属氧化物纳米粒子,从而增加膜层散射性能。

主权项:1.一种异质结结构量子点的制备方法,其特征在于,包括:提供发光类型的第一量子点;在所述第一量子点表面形成不发光类型的金属纳米粒子,并使所述金属纳米粒子与第一量子点配合形成异质结结构,制得异质结结构量子点,其中,所述金属纳米粒子易于被氧化,且在被氧化后能够形成致密的、具有阻隔作用的金属氧化物层。

全文数据:

权利要求:

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