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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种量子比特芯片器件包括：衬底；超导量子比特，在衬底上；以及读出电路，在衬底上并且电连接到超导量子比特，该读出电路包括：信号线，在衬底的表面上；接地板，在衬底的表面上，该接地板包括沿信号线形成共面波导且偏离信号线的图案；以及导电桥，嵌入在衬底中并且在与信号线相交的方向上连接接地板的两个部分。
主权项：1.一种量子比特芯片器件，包括：衬底；超导量子比特，在所述衬底上；以及读出电路，在所述衬底上并且电连接到所述超导量子比特，所述读出电路包括：信号线，在所述衬底的表面上；接地板，在所述衬底的所述表面上，所述接地板包括沿所述信号线形成共面波导且偏离所述信号线的图案；以及导电桥，嵌入在所述衬底中并且在与所述信号线相交的方向上连接所述接地板的两个部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 量子比特芯片器件和制造该量子比特芯片器件的方法
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