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一种导电铝酸镧/钽酸钾异质结构及其制备方法和应用 

申请/专利权人:湖南工程学院

申请日:2024-03-28

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118291935A

主分类号:C23C14/35

分类号:C23C14/35;C23C14/22;C23C14/06

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明提供了一种导电铝酸镧钽酸钾异质结构及其制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:将钽酸钾基片置于磁控溅射设备中,使钽酸钾基片的待镀膜表面与铝酸镧靶材表面的法线的夹角呈90°,钽酸钾基片沿垂直于基片的方向与铝酸镧靶材的距离为1.5~3.0cm,钽酸钾基片沿垂直于靶材的方向与铝酸镧靶材的距离为3.5~5.5cm;抽真空,打开工艺阀通入氩气,进行预溅射,然后调整氩气气压进行溅射,制得导电铝酸镧钽酸钾异质结构。本发明的制备方法通过调整钽酸钾基片与铝酸镧靶材的相对位置,在特定的角度和距离下,首次使用磁控溅射技术在室温下制备了具有良好导电性的铝酸镧钽酸钾异质结构。

主权项:1.一种导电铝酸镧钽酸钾异质结构的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将钽酸钾基片置于磁控溅射设备中,使所述钽酸钾基片的待镀膜表面与铝酸镧靶材表面的法线的夹角呈90°,且所述钽酸钾基片沿垂直于基片的方向与所述铝酸镧靶材的距离为1.5~3.0cm,所述钽酸钾基片沿垂直于靶材的方向与所述铝酸镧靶材的距离为3.5~5.5cm;抽真空,打开工艺阀通入氩气,进行预溅射,然后调整氩气气压进行溅射,制得所述导电铝酸镧钽酸钾异质结构。

全文数据:

权利要求:

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