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温度补偿振荡器与环形振荡器温度补偿方法 

申请/专利权人:立锜科技股份有限公司

申请日:2023-01-05

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118300601A

主分类号:H03L1/02

分类号:H03L1/02;H03L7/099;H03L5/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:一种温度补偿振荡器与环形振荡器温度补偿方法。该温度补偿振荡器包含:电流源,用以产生正温度系数电流;以及环形振荡器,具有负温度系数振荡频率,环形振荡器用以接收正温度系数电流,而产生振荡信号。电流源包括串联的追循金属氧化半导体元件与电阻。追循金属氧化半导体元件与环形振荡器中的至少一第一金属氧化半导体元件为相同导电型,且追循金属氧化半导体元件的栅源极电压与该至少一第一金属氧化半导体元件的栅源极电压具有相同的负温度系数,以于温度补偿振荡器操作时,追循金属氧化半导体元件与该至少一第一金属氧化半导体元件间具有追循效果,以补偿负温度系数振荡频率。

主权项:1.一种温度补偿振荡器,包含:一电流源,用以产生一正温度系数电流;以及一环形振荡器,具有一负温度系数振荡频率,该环形振荡器用以接收该正温度系数电流,而产生一振荡信号;其中该电流源包括串联的一追循金属氧化半导体元件与一电阻;其中该追循金属氧化半导体元件与该环形振荡器中的至少一第一金属氧化半导体元件为相同导电型,且该追循金属氧化半导体元件的栅源极电压与该至少一第一金属氧化半导体元件的栅源极电压具有相同的负温度系数,以于该温度补偿振荡器操作时,该追循金属氧化半导体元件与该至少一第一金属氧化半导体元件间具有追循效果,以补偿该负温度系数振荡频率。

全文数据:

权利要求:

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