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申请/专利权人：西北工业大学

摘要：本发明公开了一种低相位噪声和强鲁棒性的多核振荡器，多核振荡器包括n个互相连接的逆F类振荡器核，每个逆F类振荡器核均包括一个NMOS晶体管、两个第一电感、两个第二电感、一个PMOS晶体管，每个逆F类振荡器核通过其PMOS晶体管上漏极连接的第一电感与相邻逆F类振荡器核NMOS晶体管上漏极连接的第一电感耦合，与相邻逆F类振荡器核NMOS晶体管上栅极相连的第二电感耦合，且通过其NMOS晶体管上漏极连接的第一电感与相邻逆F类振荡器核PMOS晶体管上栅极连接的第二电感耦合，每个逆F类振荡器核通过其PMOS晶体管上栅极相连的第二电感与非相邻逆F类振荡器核NMOS晶体管上栅极相连的第二电感直接连接，实现多路径同步拓扑并增强共模阻抗，提高了鲁棒性，减小了相位噪声。

主权项：1.一种低相位噪声和强鲁棒性的多核振荡器，其特征在于，所述多核振荡器的电路中包括n个互相连接的逆F类振荡器核，n为大于等于4的偶数；n个相邻的所述逆F类振荡器核耦合，n个非相邻的所述逆F类振荡器核连接；每个所述逆F类振荡器核中均包括两个第一电感、两个第二电感、一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管；每个所述逆F类振荡器核通过其PMOS晶体管上漏极连接的所述第一电感与相邻所述逆F类振荡器核的所述NMOS晶体管上漏极连接的所述第一电感耦合；每个所述逆F类振荡器核通过其PMOS晶体管上漏极连接的所述第一电感与相邻所述逆F类振荡器核的所述NMOS晶体管上栅极连接的所述第二电感耦合；每个所述逆F类振荡器核通过其NMOS晶体管上漏极连接的第一电感与相邻所述逆F类振荡器核的PMOS晶体管上栅极连接的第二电感耦合；每个所述逆F类振荡器核通过其PMOS晶体管上栅极连接的所述第二电感与非相邻的所述逆F类振荡器核NMOS晶体管上栅极连接的所述第二电感直接连接；在每个所述逆F类振荡器核中，所述PMOS晶体管的源极均接电源VDD，所述PMOS晶体管的栅极均与其所述第二电感连接，所述PMOS晶体管的漏极均与其所述第一电感连接，所述NMOS晶体管的源极均接地VSS，所述NMOS晶体管的栅极均与其所述第二电感连接，所述NMOS晶体管的漏极均与其所述第一电感连接，两个所述第一电感直接连接。

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