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一种R-T-B系永磁体及其制备方法和应用 

申请/专利权人:福建省金龙稀土股份有限公司

申请日:2022-10-31

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118299137A

主分类号:H01F1/057

分类号:H01F1/057;H01F41/02;H02K1/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开了一种R‑T‑B系永磁体及其制备方法和应用。所述R‑T‑B系永磁体中氮含量为Xppm,所述X满足500≤X≤1300;所述R‑T‑B系永磁体的平均晶粒尺寸为Dμm,所述D满足‑2.6lnX+20≤D≤‑2.3lnX+19.6;所述R‑T‑B系永磁体包括主相晶粒和晶界相;所述主相晶粒包括R2Fe14B;所述晶界相分布于主相晶粒之间;所述晶界相中R‑N富集区占所述晶界相的体积分数小于10%。本发明所述的R‑T‑B系永磁体中氮元素在晶界处均匀分布,未形成NdN团聚物或其含量极低,从而提高了磁体的矫顽力Hcj,降低了高温磁损,同时改善了耐腐蚀性。

主权项:1.一种R-T-B系永磁体,其特征在于,所述R-T-B系永磁体中氮含量为Xppm,所述X满足500≤X≤1300;所述R-T-B系永磁体的平均晶粒尺寸为Dμm,所述D满足-2.6lnX+20≤D≤-2.3lnX+19.6;所述R-T-B系永磁体包括主相晶粒和晶界相;所述主相晶粒包括R2Fe14B;所述晶界相分布于主相晶粒之间;所述晶界相中R-N富集区占所述晶界相的体积分数小于10%。

全文数据:

权利要求:

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