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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
申请日：2024-04-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118295216A
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请公开了一种对位标记的布局方法，包括：获取晶圆上每个区域的套刻误差数据；根据套刻误差数据确定晶圆上每个区域的对位标记数量；根据每个区域的对位标记数量制作新的晶圆，重复上述步骤，直至晶圆上每个区域的套刻误差精度满足要求。本申请通过获取晶圆上每个区域的套刻误差数据，根据套刻误差数据确定晶圆上每个区域的对位标记数量，根据每个区域的对位标记数量制作新的晶圆直至晶圆上每个区域的套刻误差精度满足要求，从而解决了晶圆的局部形变使得套刻精度降低的问题，在一定程度上提高了生产效率。
主权项：1.一种对位标记的布局方法，其特征在于，包括：获取晶圆上每个区域的套刻误差数据；根据所述套刻误差数据确定所述晶圆上每个区域的对位标记数量；根据每个区域的对位标记数量制作新的晶圆，重复上述步骤，直至所述晶圆上每个区域的套刻误差精度满足要求。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 对位标记的布局方法
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