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申请/专利权人：成都锐成芯微科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种版图布局优化的DCDC稳压器，包括驱动单元、静电防护单元，所述驱动单元包括PMOS驱动单元和NMOS驱动单元；所述静电防护单元位于所述PMOS驱动单元和所述NMOS驱动单元之间，以将两者分隔开，所述驱动单元和所述静电防护单元上方有多层相互接通的布线网络，所述布线网络包括交替分布的电源线、地线、VX线网络。本发明的版图布局优化的DCDC稳压器降低了闩锁效应风险、并加强了ESD能力。
主权项：1.一种版图布局优化的DCDC稳压器，其特征在于，包括驱动单元、静电防护单元，所述驱动单元包括PMOS驱动单元和NMOS驱动单元；所述静电防护单元位于所述PMOS驱动单元和所述NMOS驱动单元之间，以在晶片上将两者分隔开；所述驱动单元和所述静电防护单元上方有多层相互接通的布线网络，所述布线网络包括交替分布的电源线、地线、VX线网络；所述PMOS驱动单元包括多个PMOS驱动管，所述PMOS驱动管上方包括至少一层横向交替分布的多条所述电源线和多条所述VX线、至少一层纵向交替分布的多条所述电源线和多条所述VX线；所述NMOS驱动单元包括多个NMOS驱动管，所述NMOS驱动管上方包括至少一层横向交替分布的多条所述地线和多条所述VX线、至少一层纵向交替分布的多条所述地线和多条所述VX线；所述PMOS驱动管上方的所述电源线延伸至所述静电防护单元上方，与位于所述NMOS驱动管上方、并延伸至所述静电防护单元上方的所述地线相互靠近，且所述电源线与所述地线之间的间距为所述电源线所述地线线宽的13；所述PMOS驱动管上方的所述VX线延伸至所述静电防护单元上方，并与所述NMOS驱动管上方的所述VX线相接；所述静电防护单元上方还包括至少一层纵向交替分布的多条所述电源线、所述地线和所述VX线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都锐成芯微科技股份有限公司 版图布局优化的DCDC稳压器
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