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申请/专利权人：河南师范大学
申请日：2024-04-17
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299429A
主分类号：H01L29/786
分类号：H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：一种基于二碲化钼二维材料的场效应晶体管，包括二碲化钼沟道，二碲化钼沟道为二碲化钼单层纳米片状结构，二碲化钼单层纳米片状结构的单胞由四排二碲化钼分子构成且每排二碲化钼分子由两个二碲化钼分子组成，将第二排二碲化钼分子中的一个碲原子进行替位掺杂，该被替位掺杂的碲原子与第二排二碲化钼分子中的两个钼原子以及第三排二碲化钼分子中的一个钼原子成键连接；二碲化钼沟道的左半部分为经替位掺杂的二碲化钼单层纳米片状结构，二碲化钼沟道的右半部分为未经替位掺杂的二碲化钼单层纳米片状结构，使得二碲化钼单层纳米片状结构的替位掺杂部分和未替位掺杂部分组成具有整流特性的二碲化钼沟道，从而实现基于二碲化钼二维材料的场效应晶体管。
主权项：1.一种基于二碲化钼二维材料的场效应晶体管，其特征在于：包括二碲化钼沟道，二碲化钼沟道为二碲化钼单层纳米片状结构，二碲化钼单层纳米片状结构的单胞由四排二碲化钼分子构成且每排二碲化钼分子由两个二碲化钼分子组成，记每排中的两个二碲化钼沿Z向布置，记每排二碲化钼分子沿Y向布置，记二碲化钼分子中的两个钼原子沿X向布置，将第二排二碲化钼分子中的一个碲原子进行替位掺杂，该被替位掺杂的碲原子与第二排二碲化钼分子中的两个钼原子以及第三排二碲化钼分子中的一个钼原子成键连接；二碲化钼沟道的左半部分为经替位掺杂的二碲化钼单层纳米片状结构，二碲化钼沟道的右半部分为未经替位掺杂的二碲化钼单层纳米片状结构，在二碲化钼沟道上表面的左右两侧分别连接有源极和漏极，在二碲化钼沟道上表面的中部设置有第一隔离层，在第一隔离层的上表面设置有栅极；二碲化钼沟道的左右方向为Z向，二碲化钼沟道的上下方向为X向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 河南师范大学 一种基于二碲化钼二维材料的场效应晶体管
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