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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：本发明公开一种反常霍尔效应传感器、装置及线性磁场传感器系统，涉及霍尔传感器领域，其中，反常霍尔效应传感器包括电极层及反常霍尔效应传感部件；电极层用于为反常霍尔效应传感部件供电；反常霍尔效应传感部件包括依次设置的基底、第一非磁性层、层间交换耦合组件、第二非磁性层及覆盖层；层间交换耦合组件包括依次设置的第一磁性层、间隔层及第二磁性层；或者，层间交换耦合组件包括依次设置的多个耦合组件，每个耦合组件均包括依次设置的磁性层及间隔层。本发明具有超高的灵敏度的同时兼顾低噪声和良好稳定性，有着较高的磁检测能力。
主权项：1.一种反常霍尔效应传感器，其特征在于，包括电极层及反常霍尔效应传感部件；所述电极层用于为所述反常霍尔效应传感部件供电；所述反常霍尔效应传感部件包括依次设置的基底、第一非磁性层、层间交换耦合组件、第二非磁性层及覆盖层；所述层间交换耦合组件包括依次设置的第一磁性层、间隔层及第二磁性层；或者，所述层间交换耦合组件包括依次设置的多个耦合组件，每个所述耦合组件均包括依次设置的磁性层及间隔层；所述磁性层沿z轴方向的厚度范围为0.1nm至100nm，所述磁性层沿y轴方向的宽度范围为1nm至1000μm，所述磁性层沿x轴方向的长度范围为1nm至1000μm；所述间隔层沿z轴方向的厚度范围为0.1nm至10nm；所述第一非磁性层及所述第二非磁性层沿z轴方向的厚度范围均为0.1nm至100nm；所述覆盖层沿z轴方向的厚度范围为1nm至100nm；所述电极层沿z轴方向的厚度范围为10nm至100μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 反常霍尔效应传感器、装置及线性磁场传感器系统
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