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申请/专利权人：三星电子株式会社;国际商业机器公司
摘要：提供了形成垂直场效应晶体管VFET器件的方法。所述方法可以包括：形成从衬底的上表面沿竖直方向突出的沟道区；在所述沟道区的侧面上形成栅极绝缘体层；在形成所述栅极绝缘体层之后，在所述沟道区上形成顶部源极漏极；以及在所述栅极绝缘体层上形成栅电极。
主权项：1.一种形成垂直场效应晶体管器件的方法，所述方法包括：形成沟道结构，所述沟道结构包括顺序地堆叠在衬底上的沟道区和掩模层，其中，所述沟道区从所述衬底的上表面沿竖直方向突出；在所述沟道区的侧面上形成栅极绝缘体层，其中，形成所述栅极绝缘体层包括：在所述沟道区的所述侧面上以及在所述掩模层的侧面上，顺序地形成初步栅极绝缘体层和初步牺牲层；在所述初步牺牲层上形成填充层；以及去除所述掩模层以及所述初步栅极绝缘体层的上部部分，以在所述沟道区的所述侧面上形成所述栅极绝缘体层并且在所述填充层中形成凹槽；在形成所述栅极绝缘体层之后，在所述沟道区上形成顶部源极漏极；以及在所述栅极绝缘体层上形成栅电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 国际商业机器公司 形成垂直场效应晶体管器件的方法
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