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申请/专利权人：京东方华灿光电(浙江)有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299480A
主分类号：H01L33/10
分类号：H01L33/10;H01L33/22;H01L33/00
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本公开实施例提供了一种发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括复合衬底和依次层叠在复合衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；复合衬底包括第一蓝宝石层和多个凸起，多个凸起位于第一蓝宝石层的靠近第一半导体层的表面且阵列布置，凸起包括沿远离第一蓝宝石层的方向依次层叠的第二蓝宝石层和二氧化硅层，二氧化硅层包括沿远离第二蓝宝石层的方向依次层叠的台体和锥体，台体的小端靠近第二蓝宝石层且与第二蓝宝石层连接，台体的大端远离第二蓝宝石层且与锥体的底面连接，台体、第二蓝宝石层和第一半导体层之间存在空气腔。本公开实施例能在保证LED芯片的质量较好的同时，提高LED芯片的发光效率。
主权项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括复合衬底10和依次层叠在所述复合衬底10上的第一半导体层20、发光层21和第二半导体层22；所述复合衬底10包括第一蓝宝石层11和多个凸起12，所述多个凸起12位于所述第一蓝宝石层11的靠近所述第一半导体层20的表面且阵列布置，所述凸起12包括沿远离所述第一蓝宝石层11的方向依次层叠的第二蓝宝石层121和二氧化硅层122，所述二氧化硅层122包括沿远离所述第二蓝宝石层121的方向依次层叠的台体1221和锥体1222，所述台体1221的小端靠近所述第二蓝宝石层121且与所述第二蓝宝石层121连接，所述台体1221的大端远离所述第二蓝宝石层121且与所述锥体1222的底面连接，所述台体1221、所述第二蓝宝石层121和所述第一半导体层20之间存在空气腔13。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 京东方华灿光电(浙江)有限公司 发光二极管芯片及其制备方法
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