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申请/专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日：2023-01-19
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118301942A
主分类号：H10B63/10
分类号：H10B63/10;H10B80/00
优先权：["20230104 TW 112100207"]
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明提出了一种三维相变化存储器及其制作方法，其中该三维相变化存储器包含一叠层结构由多个第一层与多个第二层交互层叠而成、一沟槽垂直穿过该叠层结构，且每个第二层从该沟槽往水平的第一方向凹陷而形成一侧向凹槽、多个上电极填满该些侧向凹槽、两个双向阈值开关层分别位于该沟槽的两侧壁上、多个相变化层位于该两双向阈值开关层的两侧壁上、多个下电极填满该沟槽、以及多个孔洞垂直延伸至该叠层结构的表面，该些孔洞将该些下电极以及该些相变化层在水平的第二方向上，其中该第二方向与该第一方向正交。
主权项：1.一种三维相变化存储器，包含：基底；叠层结构，位于该基底上且由多个第一层与多个第二层交互层叠而成；沟槽，从该基底往垂直该基底的垂直方向延伸穿过整个该叠层结构，且每一该第二层从该沟槽往水平的第一方向凹陷而形成一侧向凹槽；多个粘着层，每个该粘着层位于一该侧向凹槽的表面上；多个上电极，每个该上电极位于一该粘着层上且填满一该侧向凹槽；两个双向阈值开关层，分别位于该沟槽在该第一方向上的两侧壁上；多个相变化层，位于该两双向阈值开关层在该第一方向上的两侧壁上；多个下电极，位于该些相变化层之间并填满该沟槽；以及多个孔洞，从该基底往该垂直方向延伸至该叠层结构的表面，该些孔洞将该些下电极在水平的第二方向上彼此分隔以及将该些相变化层在该第二方向上彼此分隔，其中该第二方向与该第一方向正交。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 力晶积成电子制造股份有限公司 三维相变化存储器及其制作方法
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