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申请/专利权人：中环领先(徐州)半导体材料有限公司;中环领先半导体科技股份有限公司

摘要：本发明提供了侦测晶圆设定范围内平整度变化的方法，包括：获取晶圆上至少一个线条的平整度数据；根据平整度数据，确定每个线条的径向资料曲线；通过道格拉斯‑普克算法对每个线条对应的径向资料曲线进行计算，得到每个线条对应的特征线条资料曲线；计算每条特征线条资料曲线上相邻两点的斜率并取绝对值，得到斜率绝对值；取晶圆上的设定范围内的斜率绝对值的最大值或者平均值与阈值比较，得到侦测结果。该方法可以快速侦测设定范围内的平整度变化，以作为硅晶圆后续加工的品质判断依据，进而可以避免无效加工程序,造成良率及成本损失，以及避免特定缺陷晶圆在客户端出现异常影响客户端良率而影响客户满意度。

主权项：1.一种侦测晶圆设定范围内平整度变化的方法，其特征在于，包括：获取晶圆上至少一个线条的平整度数据，所述平整度数据包括厚度数据和形状数据中的至少一种；根据所述平整度数据，确定每个所述线条的径向资料曲线：每个所述线条的径向资料以该线条上每个点距离晶圆圆心的距离作为该点的位置坐标，以每个所述线条上的点的位置作为横坐标，以每个所述线条上的点的所述平整度数据作为纵坐标，绘制曲线，即可得到每个所述线条的径向资料曲线；通过道格拉斯-普克算法对每个所述径向资料曲线进行计算，得到每个所述线条对应的特征线条资料曲线，具体计算过程如下：1在所述径向资料曲线首尾两点之间连一条直线段，该直线段为曲线的弦；2得到曲线上离该直线段距离最大的点C，计算其与直线段之间的距离；3比较该距离与预先给定的道格拉斯-普克算法阈值的大小，如果该距离小于道格拉斯-普克算法阈值，则该直线段作为曲线的近似，该段曲线处理完毕；4如果该距离大于道格拉斯-普克算法阈值，则用点C将曲线分为两段，并分别对两段曲线进行步骤1～3的处理；5当所有曲线都处理完毕时，依次连接各个分割点形成的折线，得到特征线条资料曲线；计算每条所述特征线条资料曲线上相邻两点确定的直线的斜率并取绝对值，得到斜率绝对值；取所述晶圆上设定范围内的所述斜率绝对值的最大值或者平均值与侦测斜率阈值比较，得到侦测结果。

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