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申请/专利权人：江苏芯云电子科技有限公司
申请日：2024-04-25
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118300589A
主分类号：H03K17/687
分类号：H03K17/687;H03F1/02;H03F3/20
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种高频载波通信MOSFET双向信号开关，涉及MOSFET开关技术领域，解决了BJT作为信号开关功耗大且非线性明显的技术问题，其技术方案要点是采用双P沟道MOSFET级联替代BJT作开关部件，MOSFET双向开关的复杂度、成本与BJT双向开关相近，MOSFET信号开关具有双向对称特性，收发合二为一，且MOSFET双向开关的线性更好，功耗更低，插入损耗更小；MOSFET双向开关的偏压电阻较大，对信号分流较弱，可有效减轻功率放大器PA的附加负载，降低PA功耗，大幅提升了开关的关键技术指标。
主权项：1.一种高频载波通信MOSFET双向信号开关，在AFE侧和信道侧之间设有MOSFET双向信号开关，其特征在于，该MOSFET双向信号开关包括双向开关单元、栅压控制单元和漏压控制单元，所述双向开关单元包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元和所述第二开关单元均包括互相连接的两个MOS管，所述栅压控制单元与所述漏压控制单元连接，所述栅压控制单元、所述漏压控制单元与两个所述MOS管均连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏芯云电子科技有限公司 一种高频载波通信MOSFET双向信号开关
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