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IGBT的阻焊结构 

申请/专利权人:杭州骉昇科技有限公司

申请日:2023-11-20

公开(公告)日:2024-07-02

公开(公告)号:CN221262376U

主分类号:H01L23/498

分类号:H01L23/498;H01L23/31

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.07.02#授权

摘要:本实用新型公开了一种IGBT的阻焊结构,其属于电子技术领域。IGBT的阻焊结构,包括:主板,主板上具有多个焊接区域,焊接区域内焊接有DBC基板;IGBT的阻焊结构还包括:防溢槽,设置在主板的表面,且防溢槽围绕焊接区域设置;印刷层,设于主板上方;阻焊剂层,设置于印刷层上,且阻焊剂层层对应设置在防溢槽上方。本实用新型的有益效果在于提供了一种能够限制焊锡流动来降低产品次品率的阻焊结构。

主权项:1.一种IGBT的阻焊结构,包括主板101,主板101上具有多个焊接区域,焊接区域内焊接有DBC基板104;其特征在于:所述IGBT的阻焊结构还包括:防溢槽101a,设置在主板101的表面,且防溢槽101a围绕焊接区域设置;印刷层102,设于所述主板101上方;阻焊剂层103,设置于所述印刷层102上,且所述的阻焊剂层103对应设置在防溢槽101a上方。

全文数据:

权利要求:

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