申请/专利权人：天水天光半导体有限责任公司

申请日：2024-04-26

公开（公告）日：2024-07-02

公开（公告）号：CN118100872B

主分类号：H03K3/356

分类号：H03K3/356;H03K3/013

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.02#授权;2024.06.14#实质审查的生效;2024.05.28#公开

摘要：本申请提供了一种双J‑K正沿触发器及半导体器件，双J‑K正沿触发器包括：触发器本体、抗闩锁结构和ESD保护电路；在双J‑K正沿触发器的版图中，PMOS和NMOS之间间距大于指定距离阈值，在PMOS和NMOS之间设置抗闩锁结构；ESD保护电路一端连接触发器本体的内部电路；ESD保护电路的另一端连接版图中的PAD；ESD保护电路用于增强触发器的抗静电能力。该触发器中增加了抗闩锁结构和增强ESD保护结构，能够提高触发器的抗闩锁能力以及避免发生寄生效应。

主权项：1.一种双J-K正沿触发器，其特征在于，所述双J-K正沿触发器包括：触发器本体、抗闩锁结构和ESD保护电路；在双J-K正沿触发器的版图中，PMOS和NMOS之间间距大于指定距离阈值，在PMOS和NMOS之间设置所述抗闩锁结构；所述指定距离阈值为根据工艺确定的距离值；所述ESD保护电路一端连接所述触发器本体的内部电路；所述ESD保护电路的另一端连接版图中的PAD；所述ESD保护电路用于增强触发器的抗静电能力；所述ESD保护电路包括：两组二极管和多晶结构；每组二极管包括两个二极管；将每个二极管嵌入衬底中，以保护电路且不会增大芯片面积；所述多晶结构包括多晶电阻；所述多晶电阻的一端分别连接第一二极管的阳极、第二二极管的阴极以及PAD；所述多晶电阻的另一端分别连接第三二极管的阳极、第四二极管的阴极以及触发器的内部电路；所述第一二极管的阴极和所述第三二极管的阴极均接高电平；所述第三二极管的阴极和所述第四二极管的阳极均接地；所述抗闩锁结构包括：在P阱及PMOS管周围布设的N+环，以及在P阱内布设的P+环，以避免闩锁效应；在所述PMOS管周围环接VCC，在所述P阱内的NMOS管周围环接GND；在P阱及PMOS管周围以及在P阱内布设多个接触孔，以通过所述接触孔进行阱接触和衬底接触，减少衬底和P阱的寄生电阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天水天光半导体有限责任公司 双J-K正沿触发器及半导体器件

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