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申请/专利权人：北京忆恒创源科技股份有限公司
摘要：提供了多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备。所提供的用于存储设的方法，包括：获取待回收的存储块，若存储块被标记为伪坏块，擦除所述存储块；以及若擦除所述存储块成功，将所述存储块标记为好块。
主权项：1.一种用于存储设备的方法，其特征在于，包括：获取待回收的存储块，若存储块被标记为伪坏块，擦除所述存储块；以及若擦除所述存储块成功，将所述存储块标记为好块；获取指示NVM芯片处理完成编程命令的消息，所述编程命令操作第一存储块；若所述消息指示编程命令执行失败，将所述第一存储块标记为坏块，以及将同所述第一存储块属于相同平面的一个或多个存储块标记为伪坏块；其中，伪坏块的标记方法包括：响应于所述消息指示编程命令执行失败，将所述存储设备中的打开的大块中的同所述第一存储块属于相同平面的存储块标记为伪坏块；或者将所述存储设备中的同所述第一存储块属于相同平面的所有其他存储块或所有其他尚未被写入数据的存储块标记为伪坏块；或者响应于所述消息指示编程命令执行失败，将所述存储设备中同所述第一存储块处于相同LUN，且具有相同块地址的存储块标记为伪坏块；或者响应于所述消息指示编程命令执行失败，将同所述第一存储块属于相同平面的一个或多个未被标记为坏块的存储块标记为伪坏块；或者响应于所述消息指示编程命令执行失败，将所述存储设备中的打开的大块中的同所述第一存储块属于相同平面且未被标记为坏块的存储块标记为伪坏块；将所述存储设备中的同所述第一存储块属于相同平面的所有其他未被标记为坏块的存储块标记为伪坏块；或者将所述存储设备中的同所述第一存储块属于相同平面的所有其他尚未被写入数据且未被标记为坏块的存储块标记为伪坏块。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京忆恒创源科技股份有限公司 多平面NVM处理编程出错的方法与存储设备
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