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申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日：2022-12-22
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118284326A
主分类号：H10N97/00
分类号：H10N97/00;H01L23/522;H01L23/64
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.19#实质审查的生效;2024.07.02#公开
摘要：本发明提供了一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器，包括：提供半导体衬底，形成位于半导体衬底中的金属互连层；沉积第一介质层；刻蚀第一介质层，形成位于第一区域的电容沟槽；在电容沟槽上形成MIM电容结构，MIM电容结构包括第一导电层、第二介质层和第二导电层；刻蚀形成沟槽，以暴露第二区域的金属互连层和第三区域的金属互连层；沉积金属薄膜并图形化以同时在第二导电层上形成第一金属线、在第二区域的沟槽中形成第二金属线、在第三区域的沟槽中形成第三金属线，第二导电层通过第一金属线及第二金属线与第二区域的金属互连层电连接，所述沟槽电容器的上下电极向下层的金属互连层引出。该方法用以提升沟槽式电容器结构设计自由度。
主权项：1.一种沟槽电容器的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，形成位于所述半导体衬底中的金属互连层；沉积形成位于所述半导体衬底上的第一介质层；刻蚀所述第一介质层，形成位于第一区域的电容沟槽；在所述电容沟槽上形成MIM电容结构，所述MIM电容结构包括第一导电层、第二介质层和第二导电层，所述第二介质层位于所述第一导电层和所述第二导电层之间，所述电容沟槽上的第一导电层与所述第一区域的金属互连层电连接；刻蚀所述第一介质层形成第二区域的沟槽和第三区域的沟槽，以暴露第二区域的金属互连层和第三区域的金属互连层；沉积金属薄膜，以及对所述金属薄膜图形化以同时在所述第一区域表面的所述第二导电层上形成第一金属线、在所述第二区域的沟槽中形成与所述第二区域的金属互连层电连接的第二金属线、以及在所述第三区域的沟槽中形成与所述第三区域的金属互连层电连接的第三金属线，所述第二导电层通过所述第一金属线及所述第二金属线与所述第二区域的金属互连层电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种沟槽电容器的制造方法及沟槽电容器
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