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图像传感器及改善光晕的图像传感器的制备方法 

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申请/专利权人:思特威(上海)电子科技股份有限公司

摘要:本发明提供一种改善图像光晕的图像传感器的制备方法及图像传感器,制备方法包括:提供半导体基底,半导体基底中包括像素区域以及待引出部,在半导体基底上制备逸出阻挡层,逸出阻挡层至少覆盖像素区域及待引出部,基于逸出阻挡层进行钝化处理,以改善图像暗电流,刻蚀逸出阻挡层以显露待引出部。根据上述技术特征,本发明基于逸出阻挡层的设计,辅助进行钝化处理,可以改善像素的暗电流,从而可以有效改善图像的光晕现象,另外,还可以改善实际应用中的边缘光晕现象,改善暗电流的整体均一性以及图像的整体暗电流水平,此外,对逸出阻挡层的刻蚀等制备工艺进行优化设计,改善整体暗电流水平。

主权项:1.一种改善光晕的图像传感器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:提供半导体基底,所述半导体基底具有相对的第一面和第二面;自所述第一面在所述半导体基底上制备逸出阻挡层;对所述半导体基底进行钝化处理,所述钝化处理包括基于钝化气体对所述半导体基底进行处理,且所述逸出阻挡层辅助所述钝化气体进行所述钝化处理,以改善图像暗电流;刻蚀所述逸出阻挡层,以自所述第一面显露出所述半导体基底中的待引出部;其中,所述半导体基底中形成有像素区域,所述像素区域包括光电转换元件以及与所述光电转换元件对应的晶体管组件,所述光电转换元件用于接收表征图像的光信号并将所述光信号转换为电信号,所述晶体管组件用于转移并输出所述电信号且所述晶体管组件基于所述待引出部实现电性连接,所述逸出阻挡层至少覆盖所述像素区域和所述待引出部。

全文数据:

权利要求:

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