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申请/专利权人：英特尔公司
申请日：2023-09-26
公开（公告）日：2024-07-02
公开（公告）号：CN118280934A
主分类号：H01L23/31
分类号：H01L23/31;H01L21/56;H01L21/48;H01L23/48;H01L23/538
优先权：["20221230 US 18/091616"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.07.02#公开
摘要：本发明名称是“用于具有不对称镀层的封装衬底的技术”。公开用于具有可变鳍片数量的带状场效应晶体管的技术。在说明性实施例中，形成半导体鳍片的堆叠，其中每个半导体鳍片具有源区、沟道区和漏区。可以选择性地移除一些或所有沟道区，从而允许调节驱动电流和或泄漏电流。在一些实施例中，可以移除在堆叠的顶部附近的半导体鳍片中的一个或多个。在其它实施例中，可以移除在堆叠的底部或更靠近堆叠的底部的半导体鳍片中的一个或多个。
主权项：1.一种装置，包括：衬底，所述衬底包括：第一多个层，其中，所述第一多个层中的各个层包括具有第一高度的多个导电迹线；以及与所述第一多个层相邻的第二多个层，其中，所述第二多个层中的各个层包括具有第二高度的多个导电迹线，其中，所述第二高度是所述第一高度的至少1.5倍，其中，在所述第一多个层与所述第二多个层之间的界面，混合接合将所述第一多个层和所述第二多个层相接，其中，所述混合接合包括在所述第一多个层的一个或多个导电迹线与所述第二多个层的一个或多个导电迹线之间的一个或多个直接接合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 用于具有不对称镀层的封装衬底的技术
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