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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
申请日：2024-03-22
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263132A
主分类号：H01L21/441
分类号：H01L21/441;H01L21/477;H01L21/465;H01L29/47
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，方法包括：提供氧化镓衬底，在惰性气体氛围下对氧化镓衬底在第一目标温度退火第一预设时长，第一预设时长大于1小时，第一目标温度大于500℃，这样经过长时间高温退火可以在氧化镓衬底形成大量氧空位，从而降低表面接触电阻。利用腐蚀性溶液腐蚀氧化镓衬底，暴露衬底表面悬挂键，这样在氧化镓衬底上形成金属层时，该原子面可以实现氧化镓衬底更容易和金属层结合。最后对氧化镓衬底和金属层在第二目标温度快速退火第二预设时长。本申请提供的在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，无需离子注入，工艺简单，成本低，并且也能够在氧化镓衬底和金属层之间形成良好的欧姆接触。
主权项：1.一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法，其特征在于，所述方法包括：提供氧化镓衬底，所述氧化镓衬底的载流子浓度小于1×1018cm-3；在惰性气体氛围下对所述氧化镓衬底在第一目标温度退火第一预设时长，所述第一预设时长至少大于1小时，所述第一目标温度至少大于500℃；利用腐蚀性溶液对所述氧化镓衬底进行腐蚀；在所述氧化镓衬底上形成金属层；对所述氧化镓衬底和所述金属层在第二目标温度快速退火第二预设时长，所述第二预设时长小于所述第一预设时长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种在非故意掺杂氧化镓衬底形成欧姆接触的方法
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