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申请/专利权人：长鑫存储技术(上海)有限公司
申请日：2019-10-25
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112712836B
主分类号：G11C11/409
分类号：G11C11/409
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.05.14#实质审查的生效;2021.04.27#公开
摘要：本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括：数据判断模块，用于根据半导体存储器的前次输入数据和当前输入数据中数据变化的位数，确定是否翻转当前输入数据，以生成翻转标识数据和中间数据；数据缓冲模块，用于根据使能信号和中间数据确定全局总线的初始态；数据接收模块，数据接收模块接收全局总线上的全局总线数据，并通过翻转标识信号线接收翻转标识数据，用于根据翻转标识数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入半导体存起的存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据。本申请实施例的技术方案可以实现在TriState架构下，减少内部全局总线翻转次数，大幅压缩电流，降低功耗。
主权项：1.一种写操作电路，应用于半导体存储器，其特征在于，包括：数据判断模块，用于根据所述半导体存储器的前次输入数据和当前输入数据中数据变化的位数，确定是否翻转所述当前输入数据，以生成翻转标识数据和中间数据；数据缓冲模块，连接于所述数据判断模块，用于根据使能信号和所述中间数据确定全局总线的初始态；数据接收模块，连接于存储块，所述数据接收模块接收所述全局总线上的全局总线数据，并通过翻转标识信号线接收所述翻转标识数据，用于根据所述翻转标识数据，对所述全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入所述半导体存起的存储块，所述解码包括确定是否翻转所述全局总线数据；其中，所述数据判断模块用于根据所述当前输入数据与所述前次输入数据之间的变化，确定变化标记数据；以及在所述变化标记数据中为高的位数大于预设值的情况下，将所述当前输入数据的翻转数据作为所述中间数据输出，并将所述翻转标识数据置为高；在所述变化标记数据中为高的位数小于等于所述预设值的情况下，将原始的当前输入数据作为所述中间数据输出，并将所述翻转标识数据置为低。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术(上海)有限公司 写操作电路、半导体存储器和写操作方法
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