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申请/专利权人：株式会社力森诺科
申请日：2022-10-07
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266061A
主分类号：H01L21/31
分类号：H01L21/31;H01L21/3065;H01L21/316;H01L21/318
优先权：["20211202 JP 2021-196385","20220224 JP 2022-027236","20220607 JP 2022-092299"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供能够形成膜厚的均匀性提高了的沉积膜的沉积膜形成方法。沉积膜的形成方法是在形成有图案22的基板21上形成沉积膜的方法，具备在电极上载置基板21、在对电极施加偏压功率或不施加偏压功率的状态下使用使沉积气体进行等离子体化而获得的等离子体而在基板21上形成沉积膜40的沉积工序，构成图案22的材料为含碳材料、含硅材料和含金属材料中的至少一种，沉积气体含有在分子内具有氟原子、溴原子和碳原子，并且碳原子的数量为2个或3个的作为不饱和化合物的不饱和卤化烃。进而，在对电极施加偏压功率时的功率密度为大于0Wcm2且0.5Wcm2以下。
主权项：1.一种沉积膜的形成方法，是在形成有图案的基板上形成沉积膜的方法，具备在电极上载置所述基板、在对所述电极施加偏压功率或不施加偏压功率的状态下使用使沉积气体进行等离子体化而获得的等离子体而在所述基板上形成沉积膜的沉积工序，构成所述图案的材料为含碳材料、含硅材料和含金属材料中的至少一种，所述沉积气体含有在分子内具有氟原子、溴原子和碳原子，并且所述碳原子的数量为2个或3个的作为不饱和化合物的不饱和卤化烃，在施加所述偏压功率的情况下，施加于所述电极的所述偏压功率的功率密度为大于0Wcm2且0.5Wcm2以下。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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