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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要：本发明提供一种化学气相沉积设备，包括一腔体，腔体内包括用于支撑待处理基片，腔体顶部包括一用于扩散反应气体的顶盖，一反应气体供气系统输送多种反应气体到所述顶盖。所述反应气体供气系统包括一汽化腔，所述汽化腔外具有第一加热器，使得汽化腔具有第一温度，汽化腔内的反应物被加热后变为第一反应气体输出；所述汽化腔产生的第一反应气体通过第一气体供气通路向所述顶盖供气，其中第一供气通路包括多个元器件，所述多个元器件包括依次排列的流量控制器、缓冲腔、阀门和连接在所述流量控制器、缓冲腔、阀门之间的多个供气管道。其中所述各个元器件的温度呈阶梯式组件增加，以防止第一反应气体冷凝。
主权项：1.一种化学气相沉积设备，其特征在于，包括一腔体，腔体内包括基座，基座上方用于支撑待处理基片；腔体顶部包括一用于扩散反应气体的顶盖；一反应气体供气系统输送多种反应气体到所述顶盖；所述反应气体供气系统包括一汽化腔，所述汽化腔外具有第一加热器，使得汽化腔具有第一温度，汽化腔内的反应物被加热后变为第一反应气体输出；所述汽化腔产生的第一反应气体通过第一气体供气通路向所述顶盖供气，其中第一供气通路包括多个元器件，所述多个元器件包括依次排列的流量控制器、缓冲腔、阀门和连接在所述流量控制器、缓冲腔、阀门之间的多个供气管道；其中缓冲腔和阀门分别具有独立控制的第二、第三加热器，使得缓冲腔和阀门分别具有第二、第三温度，其中第二温度大于所述第一温度，第三温度大于第二温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种化学气相沉积设备
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