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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本公开涉及氧化物半导体器件的蚀刻停止。一种集成电路结构包括包含半导体材料的第一层。在一个示例中，该层的半导体材料包括氧化物半导体材料例如，包括金属和氧。集成电路结构还包括在第一层上方的第二层，其中，第二层包括金属、以及氧或氮中的一种例如，包括铝和氧。在一个示例中，第二层是蚀刻停止层。在一个示例中，第二层的厚度至多为20纳米。集成电路结构还包括第一源极或漏极端子和第二源极或漏极端子，其中，第一源极或漏极端子和第二源极或漏极端子中的每一个延伸穿过第二层并与第一层联接。在一个示例中，集成电路结构是薄膜晶体管TFT，其中，第一层是TFT的薄膜沟道结构。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：包括半导体材料的第一层；在第一层上方的第二层，第二层包括金属、和氧或氮中的一种，其中，第二层的厚度至多为20纳米nm；以及第一源极或漏极端子和第二源极或漏极端子，第一源极或漏极端子和第二源极或漏极端子中的每一个延伸穿过第二层并抵达第一层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 氧化物半导体器件的蚀刻停止
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