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申请/专利权人：天合光能股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体工艺方法，包括预沉积步骤和其后至少进行一次的工艺沉积步骤，预沉积步骤包括：以第一流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在工艺腔室内部结构的表面沉积形成预沉积层；工艺沉积步骤包括：以第二流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使预设工艺气体热分解，以在晶圆的表面沉积形成工艺膜层；第一流量大于第二流量。在本发明中，预沉积步骤中通入预设工艺气体的第一流量大于工艺沉积步骤中通入预设工艺气体的第二流量，从而使致密的附着膜层与石英结构的表面之间间隔一层与石英件贴合不紧密且疏松的预沉积层，延长了石英件的使用寿命，本发明还提供一种半导体工艺设备。
主权项：1.一种半导体工艺方法，其特征在于，所述半导体工艺方法包括预沉积步骤和在所述预沉积步骤后至少进行一次的工艺沉积步骤，所述预沉积步骤包括：以第一流量向工艺腔室中通入预设工艺气体，并使所述预设工艺气体热分解，以在所述工艺腔室内部结构的表面沉积形成预沉积层；所述工艺沉积步骤包括：以第二流量向工艺腔室中通入所述预设工艺气体，并使所述预设工艺气体热分解，以在晶圆的表面沉积形成工艺膜层；其中，所述第一流量大于所述第二流量，从而使所述工艺腔室内部结构的表面在所述工艺沉积步骤前先沉积一层质地更疏松的所述预沉积层，后续每进行一次所述工艺沉积步骤时，均在所述预沉积层的表面形成与所述工艺膜层同时形成且质地一致的附着膜层，使致密的所述附着膜层与所述工艺腔室内部结构的表面之间间隔一层与所述工艺腔室内部结构贴合不紧密且疏松的所述预沉积层，进而通过疏松的所述预沉积层分散并减小所述附着膜层向所述工艺腔室内部结构施加的作用力。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天合光能股份有限公司 半导体工艺方法和半导体工艺设备
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