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申请/专利权人：三菱电机株式会社
摘要：本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板1；电路图案6、7、8，其设置于绝缘基板1之上；缓冲电路用基板14，其在绝缘基板1之上与电路图案6、7、8分离地设置；电阻15，其设置于电路图案6、7、8及缓冲电路用基板14中的一者；电容器16，其设置于电路图案6、7、8及缓冲电路用基板14中的另一者；以及半导体元件9，其与电阻15及电容器16电连接。
主权项：1.一种半导体装置，其具有：绝缘基板；电路图案，其设置于所述绝缘基板之上；缓冲电路用基板，其在所述绝缘基板之上在俯视观察时与所述电路图案分离地设置；电阻，其设置于所述电路图案及所述缓冲电路用基板中的一者；电容器，其设置于所述电路图案及所述缓冲电路用基板中的另一者；以及半导体元件，其与所述电阻及所述电容器电连接，所述缓冲电路用基板包含与所述绝缘基板接触的绝缘层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置及半导体装置的制造方法
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