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申请/专利权人：广东芯聚能半导体有限公司
摘要：本申请涉及一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，碳化硅MOSFET器件包括衬底、第一掺杂区、栅极沟槽、控制栅结构和分裂栅结构，第一掺杂区设置于衬底内；栅极沟槽设置于第一掺杂区内，且从衬底的正面开口并沿衬底的厚度方向延伸，栅极沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽，第二子沟槽位于第一子沟槽背离衬底的正面的一侧；控制栅结构设置于第一子沟槽内，控制栅结构包括控制栅导电层和控制栅介质层，控制栅介质层位于控制栅导电层与第一子沟槽的槽壁之间；分裂栅结构设置于第二子沟槽内，分裂栅结构包括分裂栅导电层和分裂栅介质层，分裂栅介质层包覆分裂栅导电层；控制栅介质层的介电常数和分裂栅介质层的介电常数不同。
主权项：1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底；第一掺杂区，设置于所述衬底内；栅极沟槽，设置于所述第一掺杂区内，且从所述衬底的正面开口并沿所述衬底的厚度方向延伸，所述栅极沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽，所述第二子沟槽位于所述第一子沟槽背离所述衬底的正面的一侧；控制栅结构，设置于所述第一子沟槽内，所述控制栅结构包括控制栅导电层和控制栅介质层，所述控制栅介质层位于所述控制栅导电层与所述第一子沟槽的槽壁之间；分裂栅结构，设置于所述第二子沟槽内，所述分裂栅结构包括分裂栅导电层和分裂栅介质层，所述分裂栅介质层包覆所述分裂栅导电层；所述控制栅介质层的介电常数和所述分裂栅介质层的介电常数不同；体区，设置于所述第一掺杂区内且位于所述控制栅介质层远离所述控制栅导电层的一侧；源区，设置于所述体区内；漏区，设置于所述衬底内，且位于所述第一掺杂区远离所述衬底的正面的一侧。
全文数据：
权利要求：
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