申请/专利权人:厦门紫硅半导体科技有限公司
申请日:2024-02-22
公开(公告)日:2024-06-28
公开(公告)号:CN118256986A
主分类号:C30B15/10
分类号:C30B15/10;C30B29/36
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.28#公开
摘要:本发明涉及一种溶液法生长碳化硅单晶的设备及生长方法,具体是:在籽晶提拉杆的下端连接籽晶托,籽晶托的下端固定碳化硅籽晶;石墨坩埚的上端设有开口,籽晶提拉杆的下端置于石墨坩埚内;石墨坩埚的内部设有石墨压件、硅和金属助溶剂,石墨压件作为反应容器或碳反应源被溶液腐蚀,金属助溶剂可增加碳在硅溶液中的溶解度;石墨坩埚的内侧镀有TaC涂层,TaC涂层用于隔绝石墨坩埚与金属助溶剂接触,避免石墨坩埚的腐蚀消耗;石墨坩埚的外侧设有感应线圈,感应线圈用于对石墨坩埚和石墨压件进行加热,金属助溶剂在高温下熔化成溶液并具有一定的碳溶解度,碳从石墨压件的表面溶于溶液,通过温度梯度和溶解度梯度传输至碳化硅籽晶的下方进行结晶。
主权项:1.一种溶液法生长碳化硅单晶的设备,其特征在于,包括籽晶提拉杆、石墨坩埚、TaC涂层、碳化硅籽晶、籽晶托、石墨压件、感应线圈;所述籽晶提拉杆的下端连接所述籽晶托,所述籽晶托的下端固定所述碳化硅籽晶;所述石墨坩埚的上端设有开口,所述籽晶提拉杆的下端置于所述石墨坩埚内;所述石墨坩埚的内部设有石墨压件、硅和金属助溶剂,所述石墨压件作为反应容器或碳反应源被溶液腐蚀,所述金属助溶剂可增加碳在硅溶液中的溶解度;所述石墨坩埚的内侧镀有TaC涂层,所述TaC涂层用于隔绝所述石墨坩埚与所述金属助溶剂接触,避免所述石墨坩埚的腐蚀消耗;所述石墨坩埚的外侧设有感应线圈,所述感应线圈用于对石墨坩埚和石墨压件进行加热,所述金属助溶剂在高温下熔化成溶液并具有一定的碳溶解度,碳从所述石墨压件的表面溶于溶液,通过温度梯度和溶解度梯度传输至所述碳化硅籽晶的下方进行结晶。
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