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申请/专利权人：苏州泽声微电子有限公司
申请日：2024-02-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118265432A
主分类号：H10N30/06
分类号：H10N30/06;H10N30/09
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开一种具备电极的单晶薄膜的制备方法，属于压电单晶材料极化领域。本发明的方法包括如下步骤：提供单晶，在所述单晶的一面形成注入层，在所述注入层的第一面形成第一电极；另外提供衬底，所述衬底上形成有第二电极，将所述第一电极与所述第二电极进行键合，共同形成所述注入层的下电极；保留所述注入层作为单晶薄膜，剥离所述单晶的其它部分，形成第一面带有下电极的单晶薄膜。本发明能够在单晶薄膜的两面制作电极，形成双面对外引出；另外能够通过离子注入能量控制单晶薄膜的厚度，能得到厚度很薄、均匀性很好的单晶薄膜；进一步的，剥离的单晶材料可重复使用，降低生成成本。
主权项：1.一种具备电极的单晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供单晶，在所述单晶的一面形成注入层，在所述注入层的第一面形成第一电极；另外提供衬底，所述衬底上形成有第二电极，将所述第一电极与所述第二电极进行键合，共同形成所述注入层的下电极；保留所述注入层作为单晶薄膜，剥离所述单晶的其它部分，形成第一面带有下电极的单晶薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州泽声微电子有限公司 具备电极的单晶薄膜的制备方法
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