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碳化硅多孔陶瓷及其制备方法 

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申请/专利权人:天津理工大学

摘要:本发明公开了一种碳化硅多孔陶瓷及其制备方法,制备方法包括以下步骤:将碳化硅粉末、氧化铝粉末和磷酸混合均匀,得到原料A,将原料A和聚乙烯醇粘结剂混合均匀,得到陶瓷浆料,将所述陶瓷浆料于75~85℃保温30~150秒,得到陶瓷前驱体;将所述陶瓷前驱体于微波炉中升温至T1℃并于T1℃保温25~30min,再升温至T2℃并于T2℃保温30~50min,得到碳化硅多孔陶瓷,其中,T1=500~600,T2=1200~1350。氧化铝能与磷酸在高温下反应形成具有耐高温、高强度、热膨胀系数小、化学稳定性良好的无机磷酸铝,既能用作粘合剂,又能承当烧结助剂来增强碳化硅陶瓷基体,通过此配方制备的碳化硅多孔陶瓷,孔隙率高晶界纯净,无其他杂质相。

主权项:1.一种碳化硅多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1将碳化硅粉末、氧化铝粉末和磷酸混合均匀,得到原料A,其中,按质量份数计,所述碳化硅粉末、氧化铝粉末和磷酸的比为75~95:2~11:4~24;2将原料A和聚乙烯醇粘结剂混合均匀,得到陶瓷浆料,其中,制备所述聚乙烯醇粘结剂的方法为:将聚乙烯醇和去离子水混合,搅拌,得到聚乙烯醇粘结剂;按质量份数计,步骤1中所述碳化硅粉末和聚乙烯醇的比为73~77:1~3;3将所述陶瓷浆料于75~85℃保温30~150秒,得到陶瓷前驱体;4将所述陶瓷前驱体于微波炉中升温至T1℃并于T1℃保温25~30min,再升温至T2℃并于T2℃保温30~50min,得到碳化硅多孔陶瓷,其中,T1=500~600,T2=1200~1350。

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