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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2022-12-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263249A
主分类号：H01L27/088
分类号：H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238;H05K1/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供了一种芯片及其制备方法、终端，涉及半导体技术领域，可以为P型晶体管的栅极材料填充预留更大空间，改善P型晶体管缺失缺陷命中率高、测试失败、以及方块电阻偏高的问题。该芯片包括衬底和设置于衬底上的P型晶体管。P型晶体管包括间隔设置的第一源极和第一漏极，第一源极和第一漏极之间具有第一凹槽。P型晶体管还包括第一功函数层和栅极，第一功函数层和栅极依次填充于第一凹槽中，且第一功函数层至少覆盖第一凹槽的底面；沿衬底指向P型晶体管的方向，第一功函数层的高度，小于第一凹槽的深度。
主权项：1.一种芯片，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上的P型晶体管；所述P型晶体管包括间隔设置的第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极之间具有第一凹槽；所述P型晶体管还包括第一功函数层和栅极，所述第一功函数层和所述栅极依次填充于所述第一凹槽中，且所述第一功函数层至少覆盖所述第一凹槽的底面；沿所述衬底指向所述P型晶体管的方向，所述第一功函数层的高度，小于所述第一凹槽的深度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 芯片及其制备方法、终端
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