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申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日：2022-12-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263080A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，该装置包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有可移动的上电极组件或下电极组件，两者分别包含相对设置的上电极环和下电极环，所述下电极组件用以支撑基片；设置于所述基片径向外围的环形等离子体约束单元，用以约束所述基片周围形成的等离子体；以及连通所述等离子体约束单元内侧及外侧的抽气通道。其优点是：该装置中设置的等离子体约束单元对基片周围的等离子体进行限制，使等离子体均匀分布在基片周围，提高清洁的效果；此外，该装置还设置有抽气通道，以对抽气进行控制，同时，该抽气通道还增加了等离子体在抽气通道中熄灭的概率，减少等离子体对非反应区域的零部件造成损伤，增加设备使用寿命。
主权项：1.一种等离子体边缘刻蚀设备，其特征在于，包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有可移动的上电极组件或下电极组件，所述下电极组件用以支撑基片，所述上电极组件包含上电极环，所述下电极组件包含下电极环，所述上电极环和所述下电极环相对设置；设置于所述基片外围的等离子体约束单元，用以约束所述基片周围形成的等离子体；以及连通所述等离子体约束单元内侧及外侧的抽气通道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体边缘刻蚀设备
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