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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2023-12-21
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263085A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67
优先权：["20221228 JP 2022-211738"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本公开涉及一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，能够提高等离子体工艺的效率。等离子体处理方法包括工序a、工序b以及工序c。在工序a中，在周期性地重复进行向腔室的处理气体的供给以及所述腔室内的排气的等离子体处理中，通过检测所述腔室内的发光强度的传感器来获取由所述腔室内的所述处理气体电离所得的自由基的发光强度。在工序b中，获取设为发光强度的目标的设定值。在工序c中，基于通过所述工序a获取到的所述发光强度和通过所述工序b获取到的所述设定值，来计算使所述发光强度接近所述设定值的所述等离子体处理的处理条件。
主权项：1.一种等离子体处理方法，其特征在于，包括：工序a，在周期性地重复进行向腔室的处理气体的供给以及所述腔室内的排气的等离子体处理中，通过检测所述腔室内的发光强度的传感器来获取由所述腔室内的所述处理气体电离所得的自由基的发光强度；工序b，获取设为发光强度的目标的设定值；以及工序c，基于通过所述工序a获取到的所述发光强度和通过所述工序b获取到的所述设定值，来计算使所述发光强度接近所述设定值的所述等离子体处理的处理条件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理方法和等离子体处理装置
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