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申请/专利权人：上海鼎阳通半导体科技有限公司

摘要：本发明公开了一种SGTIGBT器件，包括：第一导电类型掺杂的漂移区、位于漂移区的顶部的体区以及漂移区的底部的集电区；在器件单元区中形成有多个第一栅极结构和第二栅极结构，第一栅极结构包括形成于第一栅极沟槽中的屏蔽介质层、屏蔽栅导电材料层、栅间介质层、栅极导电材料层和栅介质层。第二栅极结构包括形成于第二栅极沟槽中栅极导电材料层和栅介质层。第一栅极结构和第二栅极结构交替排列。本发明能优化对沟道耗尽，能改善应力，减少米勒电容、降低开关损耗以及增加开关速度。

主权项：1.一种SGTIGBT器件，其特征在于，包括：第一导电类型掺杂的漂移区；在所述漂移区的顶部形成有第二导电类型掺杂的体区；在所述漂移区的底部形成有第二导电类型重掺杂的集电区；在器件单元区中形成有多个第一栅极结构和多个第二栅极结构；所述第一栅极结构包括形成于第一栅极沟槽中的屏蔽介质层、屏蔽栅导电材料层、栅间介质层、第一栅极导电材料层和第一栅介质层；所述屏蔽栅导电材料层位于所述第一栅极沟槽的底部区域，所述第一栅极导电材料层位于所述第一栅极沟槽的顶部区域；所述屏蔽栅导电材料层和所述第一栅极沟槽的底部区域的内侧表面之间间隔有所述屏蔽介质层；所述第一栅极导电材料层和所述第一栅极沟槽的顶部区域的侧面之间间隔有所述第一栅介质层；所述屏蔽栅导电材料层和所述第一栅极导电材料层之间间隔有所述栅间介质层；所述第一栅极导电材料层纵向穿过所述体区且被所述第一栅极导电材料层侧面覆盖的所述体区表面用于形成导电沟道；所述体区的表面形成有第一导电类型重掺杂的发射区；所述发射区和所述体区都通过顶部的接触孔连接到由正面金属层图形化形成的发射极；所述屏蔽栅导电材料层通过顶部对应的接触孔连接到所述发射极；所述第一栅极导电材料层通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层图形化形成的栅极；所述集电区的背面连接到由背面金属层组成的集电极；所述第二栅极结构包括形成于第二栅极沟槽中的第二栅极导电材料层和第二栅介质层；所述第二栅介质层形成于所述第二栅极沟槽的内侧表面，所述第二栅极导电材料层将形成有所述第二栅介质层的所述第二栅极沟槽完全填充；所述第一栅极结构和所述第二栅极结构交替排列，两个所述第一栅极结构之间间隔一个以上的所述第二栅极结构，利用所述第一栅极结构和所述第二栅极结构交替排列来改善沟道应力。

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