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申请/专利权人：中国科学院南京天文光学技术研究所
申请日：2024-03-13
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118256881A
主分类号：C23C14/30
分类号：C23C14/30;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/54;G02B1/10;G02B5/08
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种高损伤阈值激光反射镜低应力薄膜制备的工艺方法，基于离子源辅助电子束蒸镀工艺，在真空室底部配置两套电子束蒸发源和两套位置可移动的霍尔型离子源，在光学元件上交替镀Ta2O5膜层和SiO2膜层，Ta2O5膜层和SiO2膜层逐层沉积，得到激光反射镜薄膜，两种薄膜材料交替表现为压应力和张应力，并最终实现膜系各层薄膜应力的相互抵消，膜系呈现较低的应力表现。本发明的低应力薄膜制备方法，使镀膜过程可以一次性达到产品要求，极大提高了产品成功率。
主权项：1.一种高损伤阈值激光反射镜低应力薄膜制备的工艺方法，基于离子源辅助电子束蒸镀工艺，其特征在于，包括步骤：步骤1：采用真空室腔体直径大于1.8米的光学镀膜设备，在真空室底部配置两套电子束蒸发源和两套位置可移动的霍尔型离子源，两套霍尔型离子源分别位于两套电子束蒸发源的外侧；步骤2：通过工艺实验确定制备Ta2O5膜层的工艺参数，同时确定1套霍尔型离子源的位置并将其固定，所述工艺参数、位置满足：制备Ta2O5膜层时，对于光学元件基体材料，Ta2O5薄膜表现为压应力；步骤3：确定用于制备SiO2膜层的蒸发速率与成膜温度两项工艺参数，同时确定另一套霍尔型离子源的工艺参数调整方法，所述蒸发速率、成膜温度以及离子源的工艺参数满足：制备SiO2膜层时，对于光学元件基体材料，SiO2薄膜需表现为张应力；步骤4：将光学元件清洁装夹后放入步骤1所述的光学镀膜设备的真空室，抽真空至5*10-4Pa，打开光学镀膜设备的旋转系统，并加热至所需温度，按照步骤2和步骤3开始在光学元件上交替镀Ta2O5膜层和SiO2膜层，Ta2O5膜层和SiO2膜层逐层沉积，得到激光反射镜薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院南京天文光学技术研究所 一种高损伤阈值激光反射镜低应力薄膜制备的工艺方法
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