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含低卤化硅的复合颗粒 

申请/专利权人:瓦克化学股份公司

申请日:2021-11-16

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118265674A

主分类号:C01B33/027

分类号:C01B33/027;H01M4/36;H01M10/0525

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明涉及含低卤化硅的复合颗粒,其具有3.30重量%的Si含量,4.放置在多孔基质的孔中和孔上的硅,5.0.0003至16重量%的卤素浓度,6.3至9的pH,和7.直径百分位数d50为0.5至20μm的体积加权粒度分布;涉及制备含低卤化硅的复合颗粒的方法;涉及用于锂离子电池的阳极材料,所述阳极材料含有所述复合颗粒;涉及阳极,其包括涂覆有所述的阳极材料的集电器;并且涉及锂离子电池,其包含至少一个阳极,所述阳极含有所述的复合颗粒。

主权项:1.含低卤化硅的复合颗粒,其包含2.30重量%的Si含量,3.放置在多孔基质的孔中和孔上的硅,4.0.0003至16重量%的卤素浓度,5.3至9的pH,和6.直径百分位数d50为0.5至20μm的体积加权粒度分布。

全文数据:

权利要求:

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