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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
申请日：2019-09-25
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN112840270B
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：["20181012 EP 18200000.0"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.06.11#实质审查的生效;2021.05.25#公开
摘要：一种光刻设备将聚焦量测图案T印刷在衬底上，所印刷的图案至少包括特征的第一阵列800。该阵列内的任何部位处的特征限定至少在第一周期性方向X上重复的图案，而重复图案的几何参数w1，w3在整个所述阵列内变化。从该阵列的在部位的选定子集ROI处的测量结果导出聚焦测量结果。结果，聚焦性能的测量结果所基于的几何参数能够通过选择阵列内的部位而优化。减少或消除了对优化掩模版MA上的目标设计的几何参数的需求。所测量的属性可以是例如不对称的和或具有衍射效率的。可以通过暗场成像拍摄用于所有部位的所测量的属性，并且在拍摄之后选择部位的子集。
主权项：1.一种测量光刻设备的聚焦性能的方法，该方法包括：a接收其上已经印刷有聚焦量测图案的衬底，所印刷的聚焦量测图案至少包括特征的第一阵列，其中，所述第一阵列内的任何部位处的特征限定至少在第一周期性方向上重复的图案，并且重复的图案的至少一个几何参数在整个所述阵列中在不同的部位处是变化的；b测量至少在整个所述阵列中的所述部位的选定子集处的所印刷的聚焦量测图案的属性；以及c从在整个所述阵列中测量的所述部位的选定子集处测量的所述属性导出聚焦性能的测量结果，由此，聚焦性能的测量结果所基于的重复的图案具有部分地通过选择所述阵列内的部位的所述子集来确定的几何参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法
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