申请/专利权人:中国科学院微电子研究所
申请日:2024-02-23
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118246195A
主分类号:G06F30/20
分类号:G06F30/20;G06F30/10
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:本公开提供了一种套刻误差量测设备的仿真优化方法和装置,该方法包括:建立套刻误差量测设备的物理光学模型并进行仿真运行;获取所述物理光学模型的仿真运行结果,并根据所述仿真运行结果确定所述套刻误差量测设备的性能指标;根据所述性能指标,对物理光学模型的设备参数进行优化。本公开通过建立量测设备的物理光学模型,利用物理光学仿真过程,计算不同套刻标记和量测设备参数的套刻误差及各项性能指标,然后通过性能指标的仿真结果优化量测设备的各项设备参数,从而提高套刻误差的测量精度和工艺适应性,并有效缩短优化周期,降低优化成本。
主权项:1.一种套刻误差量测设备的仿真优化方法,其特征在于,包括:建立套刻误差量测设备的物理光学模型并进行仿真运行;获取所述物理光学模型的仿真运行结果,并根据所述仿真运行结果确定所述套刻误差量测设备的性能指标;根据所述性能指标,对物理光学模型的设备参数进行优化。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中国科学院微电子研究所 一种套刻误差量测设备的仿真优化方法和装置
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