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申请/专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请日：2019-04-10
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN112219266B
主分类号：H01L21/3065
分类号：H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;C09K13/00
优先权：["20180413 US 62/657,114","20180416 US 62/658,117"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.03.26#著录事项变更;2021.01.29#实质审查的生效;2021.01.12#公开
摘要：提供了用于从工件上的膜，比如金属氮化物膜去除材料的方法。一个示例实施涉及用于处理工件的方法。工件可包括膜例如，金属氮化物膜。方法可包括生成一种或多种核素例如，氢自由基、激发的惰性气体分子等。方法可包括将烷基卤化物与一种或多种核素混合，以生成一种或多种烷基自由基。方法可包括将膜暴露于一种或多种烷基自由基。
主权项：1.一种用于处理工件的方法，所述工件包括膜，所述方法包括：通过使用等离子体源在工艺气体中诱导等离子体而生成一种或多种核素，其中，在等离子体腔室内诱导所述等离子体，所述等离子体腔室通过分离栅与处理腔室分开，所述分离栅具有第一栅板、第二栅板和第三栅板；将烷基卤化物与所述一种或多种核素混合，以生成一种或多种烷基自由基，其中，混合所述烷基卤化物包括在设置于所述第二栅板和所述第三栅板之间的位置将烷基卤化物注入到所述一种或多种核素中；将所述膜暴露于所述一种或多种烷基自由基。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 以使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件
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