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申请/专利权人：深圳市中顺半导体照明有限公司
申请日：2024-05-24
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248813A
主分类号：H01L33/48
分类号：H01L33/48;H01L33/00;H01L21/66
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种LED半导体器件镭射固晶方法、装置和设备。本发明的方法包括以下步骤：将待固晶的芯片放置到支架的预定位置；根据加热区域的大小确定激光脉冲焦点的目标大小；根据支架和待固晶的芯片的材料确定用于加热的激光脉冲的目标功率；根据支架和待固晶的芯片的材料以及所述激光脉冲的目标功率确定激光脉冲的目标脉冲宽度；根据支架和待固晶的芯片的材料、工艺要求的加热时间和目标功率确定激光脉冲的目标频率；根据工艺要求的生产效率和目标功率确定激光脉冲的目标扫描速度；根据所确定的镭射参数控制激光脉冲对支架和芯片的预定区域进行加热。本发明可以快速准确地确定镭射固晶的镭射参数。
主权项：1.LED半导体器件镭射固晶方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1：将待固晶的芯片放置到支架的预定位置；S2：根据加热区域的大小确定脉冲激光焦点的目标大小；S3：根据支架和待固晶的芯片的材料确定用于加热的激光脉冲的目标功率；S4：根据支架和待固晶的芯片的材料以及所述激光脉冲的目标功率确定激光脉冲的目标脉冲宽度；S5：根据支架和待固晶的芯片的材料、工艺要求的加热时间和目标功率确定激光脉冲的目标频率；S6：根据工艺要求的生产效率和目标功率确定脉冲激光的目标扫描速度；S7：根据所确定的镭射参数控制脉冲激光对支架和芯片的预定区域进行加热，所述镭射参数包括脉冲激光的焦点的目标大小、目标功率、目标频率、目标脉冲宽度和目标扫描速度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市中顺半导体照明有限公司 LED半导体器件镭射固晶方法、装置和设备
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