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申请/专利权人：浙江求是创芯半导体设备有限公司
申请日：2024-04-24
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN118223010A
主分类号：C23C16/458
分类号：C23C16/458;C23C16/455
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.21#公开
摘要：本发明公开了一种半导体批量沉积设备，涉及半导体设备技术领域。半导体批量沉积设备包括炉体、晶舟、送气通道和排气通道，炉体包括炉体内管和炉体外管，炉体内管的一端和炉体外管的一端均设置为开口。晶舟用于承载晶圆，晶舟通过开口进入炉体内管并封闭开口，以使炉体内管形成反应腔；沿晶舟的长度方向间隔设置有多个隔板，相邻隔板与炉体内管的内壁之间形成子反应腔，晶圆置于子反应腔内。每个子反应腔均设置有送气通道和排气通道，送气通道和排气通道相对设置。该半导体批量沉积设备提高了反应气体的置换效率，改善了薄膜的界面宽度等沉积问题；同时提升了流场的稳定性和薄膜沉积的均匀性，降低了成本，保证了单层和多层薄膜沉积质量。
主权项：1.半导体批量沉积设备，其特征在于，包括：炉体，包括炉体内管1，所述炉体内管1的一端设置为开口；晶舟2，用于承载晶圆100，所述晶舟2通过所述开口进入所述炉体内管1并封闭所述开口，以使所述炉体内管1形成反应腔；沿所述晶舟2的长度方向间隔设置有多个隔板21，相邻所述隔板21与所述炉体内管1的内壁之间形成子反应腔，所述晶圆100置于所述子反应腔内；送气通道和排气通道，每个所述子反应腔均设置有所述送气通道和所述排气通道，所述送气通道和所述排气通道相对设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江求是创芯半导体设备有限公司 半导体批量沉积设备
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