申请/专利权人:无锡中微晶园电子有限公司
申请日:2024-02-28
公开(公告)日:2024-06-21
公开(公告)号:CN118231248A
主分类号:H01L21/329
分类号:H01L21/329;H01L29/861;H01L21/265
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.21#公开
摘要:本发明公开一种低钳位电压单向TVS器件结构,属于ESD防护器件领域。提供衬底,在所述衬底的正面依次形成外延层和场氧层;在所述场氧层的正面通过光罩定义出P区物理区域,注入掺杂元素;注入完成后,在表面沉积BSG层+USG层,在P区物理区域通过高温条件下进行扩散形成P区;在BSG层和USG层上开孔形成欧姆接触区;在所述衬底的正面淀积金属形成正面电极,减薄衬底的背面后淀积多层金属形成背面电极。本发明增加了BSG层作为部分掺杂离子源,在浅层形成P+区,降低器件动态内阻和钳位电压;同时可以降低离子注入所需剂量,节省离子注入工艺的物料和时间成本,降低制造成本。
主权项:1.一种低钳位电压单向TVS器件结构的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底,在所述衬底的正面依次形成外延层和场氧层;在所述场氧层的正面通过光罩定义出P区物理区域,注入掺杂元素;注入完成后,在表面沉积BSG层+USG层,在P区物理区域通过高温条件下进行扩散形成P区;在BSG层和USG层上开孔形成欧姆接触区;在所述衬底的正面淀积金属形成正面电极,减薄衬底的背面后淀积多层金属形成背面电极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 无锡中微晶园电子有限公司 一种低钳位电压单向TVS器件结构及其制备方法
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