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申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种沟槽型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括：SiC衬底层；SiC外延层，SiC外延层包括第一基区和若干发射区，第一基区设置于SiC衬底层上，若干发射区间隔设置在所述第一基区上；第一电极，第一电极包括若干发射极和若干基极，每个发射区上设置一发射极，相邻两个发射区之间的第一基区上设置一基极，其中，所有发射极与所有基极短接；第二电极，设置在SiC衬底层的下表面。本发明的器件可以有效地降低正偏PN结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积，大幅提高了器件的钳位响应速度，使得响应时间达到纳秒级。
主权项：1.一种沟槽型SiC-TVS器件，其特征在于，包括：SiC衬底层；SiC外延层，所述SiC外延层包括第一基区和若干发射区，所述第一基区设置于所述SiC衬底层上，所述若干发射区间隔设置在所述第一基区上；第一电极，所述第一电极包括若干发射极和若干基极，每个所述发射区上设置一所述发射极，相邻两个所述发射区之间的第一基区上设置一所述基极，其中，所有所述发射极与所有所述基极短接，所述发射区与所述发射极之间为欧姆接触，所述第一基区与所述基极之间为肖特基接触；第二电极，设置在所述SiC衬底层的下表面，所述SiC衬底层与所述第二电极之间为欧姆接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学芜湖研究院 西安电子科技大学 一种沟槽型SiC-TVS器件及其制备方法
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